ВЕРИФИКАЦИЯ ОДНОМЕРНОЙ МОДЕЛИ ГЕТЕРОСТРУКТУРНОГО ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ

Я.Б. Мартынов¹⁾, П.П. Гладышев^1,2), Р.Г. Назмитдинов²⁾, И.А.Таначев¹⁾, В.В. Тузова^1,3), С.В.Филин^1,3), А.А. Ходин⁴⁾

¹⁾ ФГУП «Научно-исследовательский институт прикладной акустики»; ул. 9 Мая, д. 7А, г. Дубна, Московская область, 141980; e-mail: yaroslavmartynov@yandex.ru ²⁾Международный Университет природы, общества и человека «Дубна», ул. Университетская, д. 19, г. Дубна, Московская область, 141980, Россия; ³⁾ ООО «ВольтаикГруп», ул. Университетская, д. 19, г. Дубна, Московская область, 141980, Россия; ⁴⁾ Институт физики, НАН Беларуси, пр. Независимости, д. 68, Минск, 220072, Беларусь

В рамках гидродинамического подхода построена одномерная модель фотоэлектрического преобразователя (ФЭП) с целью анализа его характеристик. Продемонстрировано согласие между результатами, полученными для различных характеристик CdTe-CdS ФЭП в рамках предложенной модели, с экспериментом и с результатами, полученными с помощью стандартной программы AMPS-1D. Проанализированы важные для интерпретации измеренных вольт-амперных характеристик (ВАХ) особенности ВАХ CdS-CdTe ФЭП с тонким слоем CdTe, связанные с наличием паразитного барьера Шоттки к р-области.

Ключевые слова: фотоэлектрический преобразователь, одномерная модель, p-n переход, барьер Шоттки, метод конечных разностей.

Назад